近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者有重要突破。光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺微缩的核心驱动力之一，“显影”是光刻核心步骤，而光刻胶在显影液中的微观行为长期是“黑匣子”，制约7纳米及以下先进制程良率提升。为破解难题，团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域，在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构等，合成分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，克服传统技术痛点，还指导开发出减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文刊发于《自然・通讯》。该技术为解析液相反应提供工具，有望推动关键工艺的缺陷控制与良率提升。
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